PMDXB600UNEZ

Nexperia USA Inc.

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제품 개요

In Stock 307868 pcs

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제품 모델	PMDXB600UNEZ	제조사	Nexperia USA Inc.
기술	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	307868 pcs	데이터 시트	PMDXB600UNEZ.pdf
전압 - 테스트	21.3pF @ 10V	전압 - 파괴	DFN1010B-6
아이디 @ VGS (일) (최대)	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	연속	-
RoHS 상태	Tape & Reel (TR)	이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	600mA
전력 - 최대	265mW	편광	6-XFDFN Exposed Pad
다른 이름들	1727-2278-2 568-12564-2 568-12564-2-ND PMDXB600UNEZ-ND	작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	6 Weeks	제조업체 부품 번호	PMDXB600UNEZ
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	0.7nC @ 4.5V	게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	950mV @ 250µA
FET 특징	2 N-Channel (Dual)	확장 설명	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 600mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6
소스 전압에 드레인 (Vdss)	Logic Level Gate	기술	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	20V

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