JANSR2N5153

Microsemi

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제품 개요

In Stock 1389 pcs

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제품 모델	JANSR2N5153	제조사	Microsemi
기술	RH POWER BJT	무연 여부 / RoHS 준수 여부	RoHS 미준수
사용 가능한 양	1389 pcs	데이터 시트	JANSR2N5153.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	80V	IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)	1.5V @ 500mA, 5A
트랜지스터 유형	PNP	제조업체 장치 패키지	TO-39 (TO-205AD)
연속	Military, MIL-PRF-19500/545	RoHS 현황	RoHS non-compliant
전력 - 최대	1W	패키지 / 케이스	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
작동 온도	-65°C ~ 200°C (TJ)	실장 형	Through Hole
제조업체 표준 리드 타임	33 Weeks	주파수 - 전환	-
상세 설명	Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 2A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)	IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가	70 @ 2.5A, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)	1mA	전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	2A

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