JANSR2N3810U

Microsemi

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제품 개요

In Stock 449 pcs

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제품 모델	JANSR2N3810U	제조사	Microsemi
기술	RH SMALL-SIGNAL BJT	무연 여부 / RoHS 준수 여부	RoHS 미준수
사용 가능한 양	449 pcs	데이터 시트
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	60V	IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)	250mV @ 1mA, 100µA
트랜지스터 유형	2 PNP (Dual)	제조업체 장치 패키지	6-SMD
연속	Military, MIL-PRF-19500/336	RoHS 현황	RoHS non-compliant
전력 - 최대	350mW	패키지 / 케이스	6-SMD, No Lead
작동 온도	-65°C ~ 200°C (TJ)	실장 형	Surface Mount
제조업체 표준 리드 타임	33 Weeks	주파수 - 전환	-
상세 설명	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Surface Mount 6-SMD	IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가	150 @ 1mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)	10µA (ICBO)	전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	50mA

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