| 제품 모델 | BSM180D12P3C007 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | SIC POWER MODULE | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 186 pcs | 데이터 시트 | 1.BSM180D12P3C007.pdf2.BSM180D12P3C007.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5.6V @ 50mA | 제조업체 장치 패키지 | Module |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | - |
| 전력 - 최대 | 880W | 포장 | Bulk |
| 패키지 / 케이스 | Module | 다른 이름들 | Q9597863 |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 32 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 900pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - | FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 특징 | Silicon Carbide (SiC) | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W Surface Mount Module | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 180A (Tc) |
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|---|---|---|
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