| 제품 모델 | IXFT6N100F | 제조사 | IXYS RF |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 1000V 6A TO268 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 13806 pcs | 데이터 시트 | IXFT6N100F.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5.5V @ 2.5mA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-268 (IXFT) |
| 연속 | HiPerRF™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.9 Ohm @ 3A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 180W (Tc) | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 14 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1770pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1000V |
| 상세 설명 | N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Tc) |
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