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IXYS Corporation
| 제품 모델 | IXFT58N20Q | 제조사 | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 5364 pcs | 데이터 시트 | IXFT58N20Q.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 4mA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-268 |
| 연속 | HiPerFET™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 40 mOhm @ 29A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 300W (Tc) | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3600pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200V |
| 상세 설명 | N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 58A (Tc) |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
|---|---|---|
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