| 제품 모델 | SI8469DB-T2-E1 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 4290 pcs | 데이터 시트 | SI8469DB-T2-E1.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 800mV @ 250µA | Vgs (최대) | ±5V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 전력 소비 (최대) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| 포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | 4-UFBGA |
| 다른 이름들 | SI8469DB-T2-E1CT | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 900pF @ 4V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17nC @ 4.5V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 8V | 상세 설명 | P-Channel 8V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.6A (Ta) |
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