| 제품 모델 | SI8465DB-T2-E1 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 277266 pcs | 데이터 시트 | SI8465DB-T2-E1.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±12V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 4-Microfoot |
| 연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 104 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) | 포장 | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스 | 4-XFBGA, CSPBGA | 다른 이름들 | SI8465DB-T2-E1CT |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 46 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 450pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 10V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 상세 설명 | P-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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