| 제품 모델 | FDMD8430 | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | FET ENGR DEV-NOT REL | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 양 | 41585 pcs | 데이터 시트 | FDMD8430.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | 제조업체 장치 패키지 | 8-PQFN (3.3x5) |
| 연속 | PowerTrench® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.12 mOhm @ 28A, 10V |
| 전력 - 최대 | 2.1W (Ta), 29W (Tc) | 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 6 Weeks |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5035pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Common Source | FET 특징 | Standard |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 28A (Ta), 95A (Tc) 2.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x5) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 28A (Ta), 95A (Tc) |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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