| 제품 모델 | SI3900DV-T1-E3 | 제조사 | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 292661 pcs | 데이터 시트 | SI3900DV-T1-E3.pdf |
| 전압 - 테스트 | - | 전압 - 파괴 | 6-TSOP |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V | 연속 | TrenchFET® |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2A |
| 전력 - 최대 | 830mW | 편광 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 다른 이름들 | SI3900DV-T1-E3TR SI3900DVT1E3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 15 Weeks | 제조업체 부품 번호 | SI3900DV-T1-E3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4nC @ 4.5V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.5V @ 250µA |
| FET 특징 | 2 N-Channel (Dual) | 확장 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | Logic Level Gate | 기술 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20V |
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