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Transphorm
| 제품 모델 | TP65H035WS | 제조사 | Transphorm |
|---|---|---|---|
| 기술 | 650 V 46.5 CASCODE GAN FET | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 5634 pcs | 데이터 시트 | TP65H035WS.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.8V @ 700µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) | 제조업체 장치 패키지 | TO-247-3 |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 41 mOhm @ 30A, 8V |
| 전력 소비 (최대) | 156W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) | 제조업체 표준 리드 타임 | 15 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1500pF @ 400V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 36nC @ 8V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 8V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650V | 상세 설명 | N-Channel 650V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 46.5A (Tc) |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
|---|---|---|
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