| 제품 모델 | TPH6R004PL,LQ | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 150695 pcs | 데이터 시트 | TPH6R004PL,LQ.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.4V @ 200µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 8-SOP Advance (5x5) |
| 연속 | U-MOSIX-H | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6 mOhm @ 24.5A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 1.8W (Ta), 81W (Tc) | 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 다른 이름들 | TPH6R004PLLQ | 작동 온도 | 175°C |
| 실장 형 | Surface Mount | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2700pF @ 20V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40V |
| 상세 설명 | N-Channel 40V 87A (Ta), 49A (Tc) 1.8W (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 87A (Ta), 49A (Tc) |
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