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Toshiba Semiconductor and Storage
| 제품 모델 | SSM6K202FE,LF | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 298372 pcs | 데이터 시트 | 1.SSM6K202FE,LF.pdf2.SSM6K202FE,LF.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA | Vgs (최대) | ±12V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | ES6 (1.6x1.6) |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 85 mOhm @ 1.5A, 4V |
| 전력 소비 (최대) | 500mW (Ta) | 포장 | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 | 다른 이름들 | SSM6K202FE(TE85LFCT SSM6K202FE(TE85LFCT-ND SSM6K202FE,LFCT SSM6K202FE,LFCT-ND SSM6K202FELF SSM6K202FELFCT |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 270pF @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | N-Channel 30V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.3A (Ta) |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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