HN3C10FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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제품 개요

제품 모델:	HN3C10FUTE85LF
제조업체 / 브랜드:	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 설명	TRANSISTOR NPN US6
사양서:
RoHS 상태	무연 / RoHS 준수
재고 상태	137398 pcs stock
에서 운송된다	홍콩
선적 방법	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 137398 pcs

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제품 모델	HN3C10FUTE85LF	제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
기술	TRANSISTOR NPN US6	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	137398 pcs	데이터 시트
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	12V	트랜지스터 유형	2 NPN (Dual)
제조업체 장치 패키지	US6	연속	-
전력 - 최대	200mW	포장	Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	다른 이름들	HN3C10FUTE85LFCT
작동 온도	-	잡음 지수 (f에서 dB Typ)	1.1dB @ 1GHz
실장 형	Surface Mount	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant	이득	11.5dB
주파수 - 전환	7GHz	상세 설명	RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가	80 @ 20mA, 10V	전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	80mA

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(집적 회로, 회로 보호, RF / IF 및 RFID, 광전자, 센서, 트랜스 듀서, 변압기, 아이솔레이터, 스위치, 릴레이에만 해당)

★ 배달 시간은 DHL / UPS / FEDEX / TNT에 의해 전 세계 대부분의 국가에 2-4 일이 필요합니다.

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