| 제품 모델 | TSM3N100CP ROG | 제조사 | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 124258 pcs | 데이터 시트 | TSM3N100CP ROG.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-252, (D-Pak) |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6 Ohm @ 1.25A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 99W (Tc) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 다른 이름들 | TSM3N100CP ROGTR TSM3N100CP ROGTR-ND TSM3N100CPROGTR |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) | 제조업체 표준 리드 타임 | 52 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 664pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 19nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1000V | 상세 설명 | N-Channel 1000V 2.5A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.5A (Tc) |
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|---|---|---|
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