JANS2N3499L

Microsemi

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제품 개요

In Stock 1061 pcs

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제품 모델	JANS2N3499L	제조사	Microsemi
기술	SMALL-SIGNAL BJT	무연 여부 / RoHS 준수 여부	RoHS 미준수
사용 가능한 양	1061 pcs	데이터 시트	JANS2N3499L.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	100V	IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)	600mV @ 30mA, 300mA
트랜지스터 유형	NPN	제조업체 장치 패키지	TO-5
연속	Military, MIL-PRF-19500/366	RoHS 현황	RoHS non-compliant
패키지 / 케이스	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can	작동 온도	-65°C ~ 200°C (TJ)
실장 형	Through Hole	제조업체 표준 리드 타임	33 Weeks
주파수 - 전환	-	상세 설명	Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 500mA Through Hole TO-5
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가	100 @ 150mA, 10V	전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)	10µA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	500mA

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