| 제품 모델 | JAN1N5552US | 제조사 | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 양 | 7055 pcs | 데이터 시트 | JAN1N5552US.pdf |
| 전압 - 피크 역 (최대) | Standard | 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 3A |
| 전압 - 파괴 | D-5B | 연속 | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| RoHS 상태 | Bulk | 역 회복 시간 (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 만약, F @ 저항 | - | 편광 | SQ-MELF, B |
| 다른 이름들 | 1086-19414 1086-19414-MIL |
작동 온도 - 정션 | 2µs |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 8 Weeks | 제조업체 부품 번호 | JAN1N5552US |
| 확장 설명 | Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B | 다이오드 구성 | 1µA @ 600V |
| 기술 | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1.2V @ 9A |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 600V | VR, F @ 용량 | -65°C ~ 175°C |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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