APTMC120HR11CT3AG

Microsemi

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제품 개요

In Stock 734 pcs

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제품 모델	APTMC120HR11CT3AG	제조사	Microsemi
기술	POWER MODULE - SIC MOSFET	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	734 pcs	데이터 시트	APTMC120HR11CT3AG.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)	3V @ 5mA	제조업체 장치 패키지	SP3
연속	-	이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	98 mOhm @ 20A, 20V
전력 - 최대	125W	패키지 / 케이스	Module
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)	실장 형	Chassis Mount
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant	입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	950pF @ 1000V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	62nC @ 20V	FET 유형	2 N-Channel (Dual)
FET 특징	Silicon Carbide (SiC)	소스 전압에 드레인 (Vdss)	1200V (1.2kV)
상세 설명	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 26A (Tc) 125W Chassis Mount SP3	전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	26A (Tc)

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