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Microsemi
| 제품 모델 | APTM120H140FT1G | 제조사 | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 2117 pcs | 데이터 시트 | 1.APTM120H140FT1G.pdf2.APTM120H140FT1G.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 1mA | 제조업체 장치 패키지 | SP1 |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.68 Ohm @ 7A, 10V |
| 전력 - 최대 | 208W | 포장 | Bulk |
| 패키지 / 케이스 | SP1 | 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 32 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3812pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) | FET 특징 | Standard |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | 상세 설명 | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
|---|---|---|
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