APTM100TDU35PG

Microsemi

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제품 개요

In Stock 3976 pcs

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제품 모델	APTM100TDU35PG	제조사	Microsemi
기술	MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	3976 pcs	데이터 시트	APTM100TDU35PG.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)	5V @ 2.5mA	제조업체 장치 패키지	SP6-P
연속	-	이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	420 mOhm @ 11A, 10V
전력 - 최대	390W	포장	Bulk
패키지 / 케이스	SP6	작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Chassis Mount	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant	입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	5200pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	186nC @ 10V	FET 유형	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 특징	Standard	소스 전압에 드레인 (Vdss)	1000V (1kV)
상세 설명	Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P	전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	22A

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