APTM100DA18TG

Microsemi

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제품 개요

In Stock 1632 pcs

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제품 모델	APTM100DA18TG	제조사	Microsemi
기술	MOSFET N-CH 1000V 43A SP4	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	1632 pcs	데이터 시트	1.APTM100DA18TG.pdf 2.APTM100DA18TG.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)	5V @ 5mA	Vgs (최대)	±30V
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)	제조업체 장치 패키지	SP4
연속	-	이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	210 mOhm @ 21.5A, 10V
전력 소비 (최대)	780W (Tc)	포장	Bulk
패키지 / 케이스	SP4	작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Chassis Mount	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	32 Weeks	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	10400pF @ 25V	게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	372nC @ 10V
FET 유형	N-Channel	FET 특징	-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V	소스 전압에 드레인 (Vdss)	1000V
상세 설명	N-Channel 1000V 43A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SP4	전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	43A (Tc)

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