APTGT100A60T1G

Microsemi

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제품 개요

In Stock 3057 pcs

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제품 모델	APTGT100A60T1G	제조사	Microsemi
기술	IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	3057 pcs	데이터 시트	1.APTGT100A60T1G.pdf 2.APTGT100A60T1G.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	600V	VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)	1.9V @ 15V, 100A
제조업체 장치 패키지	SP1	연속	-
전력 - 최대	340W	패키지 / 케이스	SP1
작동 온도	-40°C ~ 175°C (TJ)	NTC 써미스터	Yes
실장 형	Chassis Mount	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	32 Weeks	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가	6.1nF @ 25V	입력	Standard
IGBT 유형	Trench Field Stop	상세 설명	IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Chassis Mount SP1
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)	250µA	전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	150A
구성	Half Bridge

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(집적 회로, 회로 보호, RF / IF 및 RFID, 광전자, 센서, 트랜스 듀서, 변압기, 아이솔레이터, 스위치, 릴레이에만 해당)

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