| 제품 모델 | APT75GN120B2G | 제조사 | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 기술 | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 6689 pcs | 데이터 시트 | 1.APT75GN120B2G.pdf2.APT75GN120B2G.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V | VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.1V @ 15V, 75A |
| 시험 조건 | 800V, 75A, 1 Ohm, 15V | Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 60ns/620ns |
| 에너지 전환 | 8045µJ (on), 7640µJ (off) | 연속 | - |
| 전력 - 최대 | 833W | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 Variant | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 유형 | Standard |
| IGBT 유형 | Trench Field Stop | 게이트 충전 | 425nC |
| 상세 설명 | IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole | 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 225A |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 200A |
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