| 제품 모델 | APT50GP60B2DQ2G | 제조사 | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 기술 | IGBT 600V 150A 625W TMAX | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 7712 pcs | 데이터 시트 | APT50GP60B2DQ2G.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 600V | VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.7V @ 15V, 50A |
| 시험 조건 | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V | Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 19ns/85ns |
| 에너지 전환 | 465µJ (on), 635µJ (off) | 연속 | POWER MOS 7® |
| 전력 - 최대 | 625W | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 Variant | 다른 이름들 | APT50GP60B2DQ2GMI APT50GP60B2DQ2GMI-ND |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 유형 | Standard | IGBT 유형 | PT |
| 게이트 충전 | 165nC | 상세 설명 | IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 190A | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 150A |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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