APT25SM120S

Microsemi

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제품 개요

In Stock 4415 pcs

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제품 모델	APT25SM120S	제조사	Microsemi
기술	POWER MOSFET - SIC	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	4415 pcs	데이터 시트
아이디 @ VGS (일) (최대)	2.5V @ 1mA	과학 기술	SiCFET (Silicon Carbide)
제조업체 장치 패키지	D3	연속	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	175 mOhm @ 10A, 20V	전력 소비 (최대)	175W (Tc)
포장	Bulk	패키지 / 케이스	D-3 Module
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)	실장 형	Chassis Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	72nC @ 20V	FET 유형	N-Channel
FET 특징	-	소스 전압에 드레인 (Vdss)	1200V
상세 설명	N-Channel 1200V 25A (Tc) 175W (Tc) Chassis Mount D3	전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	25A (Tc)

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