APT11N80BC3G

Microsemi

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제품 개요

In Stock 27183 pcs

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제품 모델	APT11N80BC3G	제조사	Microsemi
기술	MOSFET N-CH 800V 11A TO-247	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	27183 pcs	데이터 시트	APT11N80BC3G.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)	3.9V @ 680µA	Vgs (최대)	±20V
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)	제조업체 장치 패키지	TO-247 [B]
연속	-	이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	450 mOhm @ 7.1A, 10V
전력 소비 (최대)	156W (Tc)	포장	Tube
패키지 / 케이스	TO-247-3	다른 이름들	APT11N80BC3GMI APT11N80BC3GMI-ND
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)	실장 형	Through Hole
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	제조업체 표준 리드 타임	18 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant	입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1585pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	60nC @ 10V	FET 유형	N-Channel
FET 특징	-	드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	800V	상세 설명	N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	11A (Tc)

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