2N2219AE4

Microsemi

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제품 개요

In Stock 10127 pcs

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제품 모델	2N2219AE4	제조사	Microsemi
기술	TRANS NPN 40V 0.8A TO-39	무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 양	10127 pcs	데이터 시트	2N2219AE4.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	50V	IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)	1V @ 50mA, 500mA
트랜지스터 유형	NPN	제조업체 장치 패키지	TO-39 (TO-205AD)
연속	-	전력 - 최대	800mW
패키지 / 케이스	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	작동 온도	-55°C ~ 200°C (TJ)
실장 형	Through Hole	제조업체 표준 리드 타임	8 Weeks
주파수 - 전환	-	상세 설명	Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가	100 @ 150mA, 10V	전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)	10nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	800mA

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