1N5623US

Microsemi Corporation

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제품 개요

In Stock 11482 pcs

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제품 모델	1N5623US	제조사	Microsemi Corporation
기술	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A	무연 여부 / RoHS 준수 여부	납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 양	11482 pcs	데이터 시트	1N5623US.pdf
전압 - 피크 역 (최대)	Standard	전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우	1A
전압 - 파괴	D-5A	연속	-
RoHS 상태	Bulk	역 회복 시간 (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
만약, F @ 저항	15pF @ 12V, 1MHz	편광	SQ-MELF, A
작동 온도 - 정션	500ns	실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	제조업체 표준 리드 타임	7 Weeks
제조업체 부품 번호	1N5623US	확장 설명	Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
다이오드 구성	500nA @ 1000V	기술	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
전류 - 누설 Vr에서 역방향	1.6V @ 3A	전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)	1000V (1kV)
VR, F @ 용량	-65°C ~ 175°C

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(집적 회로, 회로 보호, RF / IF 및 RFID, 광전자, 센서, 트랜스 듀서, 변압기, 아이솔레이터, 스위치, 릴레이에만 해당)

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