
| 제품 모델 | CSD86336Q3D | 제조사 | N/A |
|---|---|---|---|
| 기술 | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 79258 pcs | 데이터 시트 | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA | 제조업체 장치 패키지 | 8-VSON (3.3x3.3) |
| 연속 | NexFET™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
| 전력 - 최대 | 6W | 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 35 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V | FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 특징 | Logic Level Gate, 5V Drive | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 25V |
| 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A (Ta) 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Ta) |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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