| 제품 모델 | SCT2750NYTB | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | 1700V .75 OHM 6A SIC FET | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 17804 pcs | 데이터 시트 | 1.SCT2750NYTB.pdf2.SCT2750NYTB.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 630µA | Vgs (최대) | +22V, -6V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-268 |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 975 mOhm @ 1.7A, 18V |
| 전력 소비 (최대) | 57W (Tc) | 포장 | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | 다른 이름들 | SCT2750NYTBCT |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 275pF @ 800V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17nC @ 18V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 18V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1700V |
| 상세 설명 | N-Channel 1700V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.9A (Tc) |
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|---|---|---|
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