| 제품 모델 | RW1A030APT2CR | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 435051 pcs | 데이터 시트 | 1.RW1A030APT2CR.pdf2.RW1A030APT2CR.pdf3.RW1A030APT2CR.pdf4.RW1A030APT2CR.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA | Vgs (최대) | -8V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 6-WEMT |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 42 mOhm @ 3A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 700mW (Ta) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 | 다른 이름들 | RW1A030APT2CR-ND RW1A030APT2CRTR |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2700pF @ 6V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 12V |
| 상세 설명 | P-Channel 12V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Ta) |
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|---|---|---|
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