| 제품 모델 | RUC002N05HZGT116 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | 1.2V DRIVE NCH MOSFET | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 1460432 pcs | 데이터 시트 | 1.RUC002N05HZGT116.pdf2.RUC002N05HZGT116.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA | Vgs (최대) | ±8V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | SST3 |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101 | 전력 소비 (최대) | 350mW (Ta) |
| 포장 | Original-Reel® | 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 다른 이름들 | RUC002N05HZGT116DKR | 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 25pF @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 50V | 상세 설명 | N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200mA (Ta) |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
|---|---|---|
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