| 제품 모델 | RQ5C060BCTCL | 제조사 | Rohm Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | PCH -20V -6A MIDDLE POWER MOSFET | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 283384 pcs | 데이터 시트 | RQ5C060BCTCL.pdf |
| 전압 - 테스트 | 1360pF @ 10V | 전압 - 파괴 | TSMT3 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 21.1 mOhm @ 6A, 4.5V | Vgs (최대) | 4.5V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 연속 | - |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6A (Tc) |
| 편광 | SC-96 | 다른 이름들 | RQ5C060BCTCLTR |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | RQ5C060BCTCL | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 19.2nC @ 4.5V |
| IGBT 유형 | ±8V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.2V @ 1mA |
| FET 특징 | P-Channel | 확장 설명 | P-Channel 20V 6A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | 기술 | PCH -20V -6A MIDDLE POWER MOSFET |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20V | 용량 비율 | 1W (Tc) |
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