| 제품 모델 | QS5U36TR | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 252653 pcs | 데이터 시트 | 1.QS5U36TR.pdf2.QS5U36TR.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.3V @ 1mA | Vgs (최대) | ±10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TSMT5 |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 81 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 1.25W (Ta) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 280pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.5nC @ 4.5V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | Schottky Diode (Isolated) | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 상세 설명 | N-Channel 20V 2.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.5A (Ta) |
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