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LAPIS Semiconductor
| 제품 모델 | EMD30T2R | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 781015 pcs | 데이터 시트 | EMD30T2R.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V, 30V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 제조업체 장치 패키지 | EMT6 |
| 연속 | - | 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 10 kOhms |
| 저항기 -베이스 (R1) | 10 kOhms, 1 kOhms | 전력 - 최대 | 150mW |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 다른 이름들 | EMD30T2R-ND EMD30T2RTR |
실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환 | 250MHz, 260MHz | 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA, 200mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA, 200mA | 기본 부품 번호 | *MD30 |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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