| 제품 모델 | 2SCR533P5T100 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | NPN 50V 3A MEDIUM POWER TRANSIST | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 295292 pcs | 데이터 시트 | 1.2SCR533P5T100.pdf2.2SCR533P5T100.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 350mV @ 50mA, 1A |
| 트랜지스터 유형 | NPN | 제조업체 장치 패키지 | MPT3 |
| 연속 | - | 전력 - 최대 | 500mW |
| 포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | TO-243AA |
| 다른 이름들 | 2SCR533P5T100CT | 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환 | 320MHz | 상세 설명 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 320MHz 500mW Surface Mount MPT3 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 180 @ 50mA, 3V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 1µA (ICBO) |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 3A |
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|---|---|---|
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