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Infineon Technologies
| 제품 모델 | IRL60S216 | 제조사 | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 60V 195A | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 20972 pcs | 데이터 시트 | IRL60S216.pdf |
| 전압 - 테스트 | 15330pF @ 25V | 전압 - 파괴 | D2PAK |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.95 mOhm @ 100A, 10V | Vgs (최대) | 4.5V, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 연속 | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 195A (Tc) |
| 편광 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 다른 이름들 | IRL60S216TR SP001573906 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 14 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | IRL60S216 | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 255nC @ 4.5V |
| IGBT 유형 | ±20V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.4V @ 250µA |
| FET 특징 | N-Channel | 확장 설명 | N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | 기술 | MOSFET N-CH 60V 195A |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 60V | 용량 비율 | 375W (Tc) |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
|---|---|---|
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