| 제품 모델 | IXZ631DF18N50 | 제조사 | IXYS RF |
|---|---|---|---|
| 기술 | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 2278 pcs | 데이터 시트 | IXZ631DF18N50.pdf |
| 전압 - 공급 | 8 V ~ 18 V | 제조업체 장치 패키지 | 10-SMD |
| 연속 | - | 상승 / 하강 시간 (일반) | 3.4ns, 1.65ns |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | 10-SMD, Flat Lead |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 입력 주파수 | 1 |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 14 Weeks | 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 유형 | Non-Inverting |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 500V | 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 구동 구성 | Low-Side | 상세 설명 | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 10-SMD |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 95A, 95A | 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Single |
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