| 제품 모델 | VMO580-02F | 제조사 | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 200V 580A MODULE | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 854 pcs | 데이터 시트 | VMO580-02F.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 50mA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | Y3-Li |
| 연속 | HiPerFET™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.8 mOhm @ 430A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | - | 포장 | Bulk |
| 패키지 / 케이스 | Y3-Li | 다른 이름들 | Q1221985A VMO58002F |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Chassis Mount |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2750nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200V |
| 상세 설명 | N-Channel 200V 580A (Tc) Chassis Mount Y3-Li | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 580A (Tc) |
| 기본 부품 번호 | VMO |
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|---|---|---|
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