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IXYS Corporation
| 제품 모델 | IXTP4N70X2M | 제조사 | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 양 | 37650 pcs | 데이터 시트 | IXTP4N70X2M.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-220 Isolated Tab |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 850 mOhm @ 2A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 30W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 24 Weeks | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 386pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 11.8nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 700V | 상세 설명 | N-Channel 700V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A (Tc) |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
|---|---|---|
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