| 제품 모델 | IXFK34N80 | 제조사 | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 4894 pcs | 데이터 시트 | IXFK34N80.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 8mA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-264AA (IXFK) |
| 연속 | HiPerFET™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 240 mOhm @ 17A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 560W (Tc) | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-264-3, TO-264AA | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 제조업체 표준 리드 타임 | 26 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7500pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 270nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800V | 상세 설명 | N-Channel 800V 34A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 34A (Tc) |
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