| 제품 모델 | GA10SICP12-263 | 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 3660 pcs | 데이터 시트 | GA10SICP12-263.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | - | Vgs (최대) | - |
| 과학 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 제조업체 장치 패키지 | D2PAK (7-Lead) |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100 mOhm @ 10A |
| 전력 소비 (최대) | 170W (Tc) | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | 다른 이름들 | 1242-1318 GA10SICP12-263-ND |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 18 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1403pF @ 800V |
| FET 유형 | - | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V |
| 상세 설명 | 1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A (Tc) |
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|---|---|---|
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