| 제품 모델 | SQJ401EP-T1_GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 양 | 63872 pcs | 데이터 시트 | SQJ401EP-T1_GE3.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±8V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6 mOhm @ 15A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 83W (Tc) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 | 다른 이름들 | SQJ401EP-T1_GE3-ND SQJ401EP-T1_GE3TR |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 10015pF @ 6V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 164nC @ 4.5V |
| FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 12V |
| 상세 설명 | P-Channel 12V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 32A (Tc) |
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