| 제품 모델 | SIS990DN-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 152468 pcs | 데이터 시트 | SIS990DN-T1-GE3.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 85 mOhm @ 8A, 10V |
| 전력 - 최대 | 25W | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8 Dual | 다른 이름들 | SIS990DN-T1-GE3TR |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 250pF @ 50V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) | FET 특징 | Standard |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 12.1A 25W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12.1A |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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