제품 모델 | SI7386DP-T1-E3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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기술 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 99868 pcs | 데이터 시트 | SI7386DP-T1-E3.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 |
연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 7 mOhm @ 19A, 10V |
전력 소비 (최대) | 1.8W (Ta) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 | 다른 이름들 | SI7386DP-T1-E3TR SI7386DPT1E3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 4.5V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | N-Channel 30V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12A (Ta) |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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