| 제품 모델 | EPC2101 | 제조사 | EPC |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 17961 pcs | 데이터 시트 | EPC2101.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA | 제조업체 장치 패키지 | Die |
| 연속 | eGaN® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
| 전력 - 최대 | - | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | Die | 다른 이름들 | 917-1181-2 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 14 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V | FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 특징 | GaNFET (Gallium Nitride) | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
| 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.5A, 38A |
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