| 제품 모델 | S34MS01G200TFB003 | 제조사 | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC FLASH 1G PARALLEL | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 17630 pcs | 데이터 시트 | S34MS01G200TFB003.pdf |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 45ns | 전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 과학 기술 | FLASH - NAND | 연속 | Automotive, AEC-Q100, MS-2 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C (TA) | 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형 | Non-Volatile | 메모리 크기 | 1Gb (128M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | FLASH |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 상세 설명 | FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 45ns |
| 액세스 시간 | 45ns |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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