| 제품 모델 | CTLDM3590 TR | 제조사 | Central Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 231605 pcs | 데이터 시트 | CTLDM3590 TR.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | Vgs (최대) | 8V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TLM3D6D8 |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 125mW (Ta) | 포장 | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스 | 3-XFDFN | 다른 이름들 | CTLDM3590 CT CTLDM3590 CT-ND CTLDM3590CT |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.46nC @ 4.5V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.2V, 4.5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 상세 설명 | N-Channel 20V 160mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount TLM3D6D8 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 160mA (Ta) |
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