| 제품 모델 | NSVMUN2233T1G | 제조사 | ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 1336466 pcs | 데이터 시트 | NSVMUN2233T1G.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 100mA | 전압 - 파괴 | SC-59-3 |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 50V | 연속 | - |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴) | 4.7k |
| 저항기 -베이스 (R1) (옴) | - | 전력 - 최대 | 230mW |
| 편광 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 잡음 지수 (f에서 dB Typ) | 47k |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks | 제조업체 부품 번호 | NSVMUN2233T1G |
| 주파수 - 전환 | 80 @ 5mA, 10V | 확장 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3 |
| 기술 | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 250mV @ 1mA, 10mA | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | NPN - Pre-Biased |
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