제품 모델 | NSVMUN2112T1G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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기술 | TRANS PNP 50V BIPOLAR SC59-3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 1084685 pcs | 데이터 시트 | NSVMUN2112T1G.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 250mV @ 300µA, 10mA |
트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased | 제조업체 장치 패키지 | SC-59-3 |
연속 | - | 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 22 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) | 22 kOhms | 전력 - 최대 | 230mW |
포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 60 @ 5mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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